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2x IGU04N60TAKMA1 Transistor IGBT 600V 4A 42W... - Transistori IgbtDecember 2023 Infineon Technologies 2x IGU04N60TAKMA1 Transistor IGBT 600V 4A 42W TO251 INFINEON TECHNOLOGIES Montaggio: THT Carico della porta: 27nC Genere di confezione: tubo Tempo d'avvio: 21ns Tempo d'interruzione: 207ns... |
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Lodokdre 10 transistor IGBT FGA25N120 1200V 313W... - Transistori Igbt - 18,07€Lodokdre 10 transistor IGBT FGA25N120 1200V 313W Pick-up DC: 46 V (a 25 ℃), 25 V (a 100 ℃) al cortocircuito: 10 s Tensione 'emettitore collettore: 1200 V Progettato per controllo motore, inverter, SMPS Perdita di potenza: 313 W (a 25 ℃)... |
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IGBT - Transistor FGA25N120, 1200 V, 313 W... - Transistori Igbt - 6,15€IGBT - Transistor FGA25N120, 1200 V, 313 W : 46 V (a 25 ¡æ), 25 V (a 100 ¡æ) Progettato per il controllo del motore, inverter, alimentatori a commutazione Collettore di tensione emettitore: 1200 V al cortocircuito: 10 Perdita di potenza: 313 W (a 25 ¡æ)... |
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10pcs 12n60a4 hgtg12n60a4 to-247 igbt transistor... - Transistori Igbt - 18,45€10PCS 12N60A4 HGTG12N60A4 TO-247 IGBT TRANSISTOR 12A 600V 10 pezzi 12N60A4 HGTG12N60A4 TO-247 IGBT TRANSISTOR 12A 600V... |
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APT70GR120B2 Transistor: IGBT 1200V 70A 961W... - IlluminazioneAPT70GR120B2 Transistor: IGBT 1200V 70A 961W TO247-3 MICROSEMI Montaggio: THT Tensione collettore-emettitore: 1200V Potenza dissipata: 961W Carico della porta: 412nC Tecnologia: Ultra Fast NPT-IGBT... |
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IXGR48N60C3D1 Transistor: IGBT GenX3™ 600V 26A... - Transistori Igbt - 25,36€IXGR48N60C3D1 Transistor: IGBT GenX3™ 600V 26A 125W ISOPLUS247™ IXYS Montaggio: THT Carico della porta: 77nC Genere di confezione: tubo Tempo d'avvio: 45ns Tempo d'interruzione: 187ns... |
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STGW20NC60VD Transistor: IGBT 600V 30A 200W... - Transistori IgbtOctober 2023 St Microelectronics STGW20NC60VD Transistor: IGBT 600V 30A 200W TO247-3 STMicroelectronics Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del collettore: 30A Tensione collettore-emettitore: 600V Potenza dissipata: 200W Carico della porta: 140nC... |
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UANG transistor di potenza IGBT 1200V 313W... - Transistori IgbtUANG transistor di potenza IGBT 1200V 313W FGA25N120 e' ora di resistere corto circuito: 10 s tensione collettore-emettitore: 1200V Progettato per il controllo motore, inverter, SMPS collettore di corrente: 46V (a 25 gradi Celsius), 25V (100 gradi Celsius) Potenza dissipata: 313W (a 25 gradi Celsius)... |
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