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Transistor IRF740PBF N di commutazione veloce del MOSFET di potere di Hexfet IRF740 Max. Corrente: 10 A; Tensione sorgente del cancello: ± 20 V. Tensione: Vdds = 400 V; temperatura di funzionamento: da -55 a + 150 °C. Dissipazione di potenza: 125W; Applicazioni: Generale uso veloce di commutazione mosfet di potenza Confezione...

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Infineon Technologies IRFB3006PBF MOSFET 1 N-Canale 375W TO-220AB MOSFET dati tecnici: C(ISS): 8970 pF · C(ISS) Tensione riferimento: 50 V · Caratteristiche (transistor): Canale N · Caratteristiche Transistor: Standard · Case: TO-220AB · Compatibile RoHS: Sì · Fabbricante: Infineon Technologies · I(d): 195 A · Metodo di...

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Transistor FET MOS di 10pcs IRLB3034 TO-220 IRLB3034PBF TO220 Numero di modello: IRLB3034 IRLB3034PBF A 220 Tipo: IC Confezione: 10 pezzi...

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BOJACK IRF3205 MOSFET Transistor 110 A 55 V MOSFET di potenza canale N TO-220AB (confezione da 10 pezzi) Tipo di transistor: MOSFET Polarità del transistor: canale N Corrente di drenaggio (Id Max): 110A Voltaggio Vds Max: 55 V. Potenza (max): 200 W.